完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 吳耀銓 | en_US |
dc.contributor.author | WU YEWCHUNG SERMON | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-13T10:29:43Z | - |
dc.date.available | 2014-12-13T10:29:43Z | - |
dc.date.issued | 2006 | en_US |
dc.identifier.govdoc | NSC95-2221-E009-087-MY3 | zh_TW |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/89590 | - |
dc.identifier.uri | https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1238536&docId=228391 | en_US |
dc.description.abstract | 藉著前一系列的計畫,銅基材上的高功率發光二極體已經被我們製作出來,且發表在 APL 期刊,引起國際間之報導(附件一)。研究中利用氧化銦錫(ITO)當作擴散阻礙層 將磷化鋁銦鎵發光二極體晶圓接合在銅基材上。被接合在銅基材上的發光二極體元 件,能夠在更高的順向注入電流下操作。而此發光二極體的發光強度比一般砷化鎵基 材發光二極體高出約三倍之多。這顯著改善的原因是因為金屬銅基材具有較高的熱傳 導率。可惜的是,銅金屬是延展性佳的材料,因此,在整個元件的製做過程中,易造 成發光二極體元件毀壞(尤其是在切割晶粒時),良率不高。為了改善這問題,在這計 畫,我們將藉著不同物質與銅反應,將銅基板改質以利後續的銅切割/分離。其中包括 產生1) 較硬的介金屬化合物(intermetallic compound),以利刀具(dicing saw)的切割。 2)特定的介金屬化合物(intermetallic compound),其與銅的對特定的蝕刻液,有不同的 蝕刻速度。再藉著蝕刻就可將之分離。所用的發光二極體將包括現今較熱門的氮化鎵 (GaN)系列與砷化鎵(GaAs)系列。這些方法將可提升製造高功率發光二極體之良 率。 | zh_TW |
dc.description.sponsorship | 行政院國家科學委員會 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.title | 銅基板之切割-運用在高功率發光二極體上的銅基板切割 | zh_TW |
dc.title | Dicing of Cu Substrate for High Power LEDs on Cu Substrate | en_US |
dc.type | Plan | en_US |
dc.contributor.department | 交通大學材料科學與工程系 | zh_TW |
顯示於類別: | 研究計畫 |