將發光二極體結構轉移到銅基材以製作高功率發光二極體(I)

Abstract

藉著前一系列的計畫，銅基材上的高功率發光二極體已經被我們製作出 來，且發表在APL 期刊，引起各界之注意。研究中利用氧化銦錫（ITO）當作散 阻礙層將磷化鋁銦鎵發光二極體晶圓接合在銅基材上。被接合在銅基材上的發光 二極體元件能夠更高的順向注入電流下操作，而此發光二極體的發光強度比一般 砷化鎵基材發光二極體高出約三倍之多。這顯著改善的原因是因為金屬銅基材具 有較高的熱傳導率。然而，銅金屬是延展性佳的材料，因此，在整個元件的製做 過程中，易造成發光二極體元件毀壞（尤其是在切割晶粒時）。為了改善這問題， 在這計畫，三個方法將被提出來用以解決這問題：1) 將銅金屬直接選擇性的電 鍍在發光二極體結構；2) 利用晶圓接合技術將發光二極體結構轉移到已經鍍銅 的矽基材上；3)在矽基材上製作規則的凹槽陣列，接著將銅電鍍到這規則的陣列 上，再將發光二極體的結構接合到此係矽基材上。所用的發光二極體將包括現今 較熱門的氮化鎵（GaN）系列與砷化鎵（GaAs）系列。這些方法將可提升製造高 功率發光二極體之良率。