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dc.contributor.author林木獅en_US
dc.contributor.authorLIN MU-SHIHen_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:29:58Z-
dc.date.available2014-12-13T10:29:58Z-
dc.date.issued2006en_US
dc.identifier.govdocNSC95-2221-E009-165zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/89849-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1309126&docId=241889en_US
dc.description.abstract本計劃是2 年連續性計劃。 第1 年工作如下: (1)合成Scheme I 所示化合物I、II、III、IV、V、VI、VII,並分別以1H NMR、 13C NMR、FTIR 鑑定結構式。 (2)調配及製程研究。將上述化合物以當量比(a) III/IV/VII1=1/1/1 及(b) VI/IV/VII=1/1/1 充分混摻,以刮刀製成簿片硬化後,續做下述探討: (3)動態DSC,以選擇最佳硬化.度,順便探討交聯動力學,以比較上述2 種材料 的加工特性。 (4)動態機械性能(DMA)以此較材料之柔軟度及強.性,並評估材料之相容性 (Compatibility)。 (5)熱分析(DSC、TGA、TMA)測試材料之柔軟度、熱安定性、熱膨脹係數。 (6)機械性質(Tensile-elongation、impact resistance)以測試材料之..性及 抗衝擊性能。 (7)均質.(homogeneity)以Carbon-mapping SEM, Oxygen-mapping SEM 及 Silicone-mapping SEM 觀測材料之均質性。 (8)材料之成膜性 (9)材料之介電常數。 (10) 材料之抗酸、抗鹼性 (11) 材料之黏.性 (12) 鑽孔牲 (13) 抗焊性 (14)綜合上述的特性探討,選擇最佳化的配方,並加入適量添加特,製作覆晶高 密度的印刷電路板。 第2 年工作如下: 除續繼改良第1 年工作外,合成含雙鍵的改質POSS(VIII),並調製 (c)III/iV/VII/I=1/1/1 +少量含雙鍵的改質POSS,及(d)VI/IV/VII=1/1/1 +少量 含雙鍵的改質POSS,並如第1 年做各稱探討,試製覆晶高密度印刷電路板。最後, 綜合第1 年及第2 年工作,選擇若干最佳化之配方與製程,實做成品,完成本計 劃之研發工作。zh_TW
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject覆晶zh_TW
dc.subject印刷電路板zh_TW
dc.subject介電常數zh_TW
dc.subject均質性zh_TW
dc.subject柔軟性zh_TW
dc.subject強.性zh_TW
dc.subject鑽孔性zh_TW
dc.subject抗焊性zh_TW
dc.title矽氧烷與亞醯胺改質之雙丙烯雙酚、含矽氧烷雙馬來亞醯胺與氰酸酯材料交聯行為與物性研究及其在高密度印刷電路板之應用zh_TW
dc.titleResearch on Curing Behaviors and Properties of Materials Based on Siloxane- and Imide- Modified Bisphenol、Siloxane-Containing Maleimide and Cyanate Ester for Application in High Density Print Circuit Boarden_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department交通大學應用化學系zh_TW
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