完整後設資料紀錄
DC 欄位語言
dc.contributor.author汪大暉en_US
dc.contributor.authorWANG TAHUIen_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:30:06Z-
dc.date.available2014-12-13T10:30:06Z-
dc.date.issued2005en_US
dc.identifier.govdocNSC94-2215-E009-009zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/89962-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1143851&docId=219368en_US
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title奈米CMOS元件量子效應與電荷傳輸模擬及電性與可靠性分析(II)zh_TW
dc.titleNano-CMOS Charge Ballistic Transport, Quantum Effect, Characterization, and Reliability Study(II)en_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department交通大學電子工程系zh_TW
顯示於類別:研究計畫


文件中的檔案:

  1. 942215E009009.PDF

若為 zip 檔案,請下載檔案解壓縮後,用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。