193奈米高透射率嵌附層之研製與應用於橫電偏振光、偏軸發光、減光型相移圖罩組合之濕浸式微影成像特性模擬探討

Abstract

解像度增進技術一般可分為偏軸發光、相移圖罩與表層成像三種。偏軸發光已屬微影機 台基本配備；表層成像製程複雜，業界接受度不高；相移圖罩則仍有廣大之研究空間。193 奈米濕浸式微影，搭配橫電偏振光光源，為目前顯學，將主導全球未來數年光學微影之研發。 嵌附式減光型相移圖罩，可適用於248、193、157、126、13、0.8奈米，涵蓋深紫外光、 極短紫外光、X-光，可謂全部微影波長皆可適用；且尚有製備較易，適用於各式圖形之優點， 因此，其重要性無庸置疑。嵌附層正規透射率T%~6%，高透射率通常定義T%~15-35。 本計畫分二部份，一為193 奈米微影高透射率嵌附層材料之研製，此為延續過去數年之 研究議題；二為模擬探討應用於橫電偏振光、偏軸發光、減光型相移圖罩組合之濕浸式微影 成像特性。第二部份構想似為申請人首創，因尚未見文獻報導。 本計畫為製備65至45奈米線幅技術節點之前瞻性研究，並兼顧學術性、應用性與研究生 培訓。