標題: | 193奈米微影高透射率嵌附層應用於透射率控制圖罩之模擬、材料、蝕刻與性質探討 Studies on Simulations, Materials, Etchings and Properties of High T% Embedded Layers Used in TCM for 193 nm Lithography |
作者: | 龍文安 Loong Wen-an 交通大學應用化學系 |
關鍵字: | 嵌附層;透射率控制圖罩 |
公開日期: | 2004 |
摘要: | 解像度增進技術一般可分為偏軸發光、相移圖罩與表層成像三種。偏軸發光已屬微 影機台基本配備;表層成像製程複雜,業界接受度不高;相移圖罩則仍有廣大之研究空 間。 嵌附式減光型相移圖罩,可適用於248、193、157、126、13、0.8奈米,涵蓋深紫 外光、極短紫外光、X-光,可謂全部微影波長皆可適用;且尚有製備較易,適用於各式 圖形之優點,因此,其重要性無庸置疑。嵌附層正規透射率T%~6%,高透射率通常定義 T%~15-35。 本計畫主要探討193奈米微影高透射率嵌附層,其材料、光學、物性、化性、電漿 蝕刻等性質。以模擬探討應用於透射率控制圖罩成像性質,與相關光學鄰近效應之修 正,並實作透射率控制圖罩。 本計畫為製備90至45奈米線幅節點二維接觸孔之前瞻性研究,並兼顧學術性、應用 性與研究生培訓。 |
官方說明文件#: | NSC93-2215-E009-044 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/91409 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1026730&docId=195192 |
顯示於類別: | 研究計畫 |