193奈米微影高透射率嵌附層應用於透射率控制圖罩之模擬、材料、蝕刻與性質探討

Abstract

解像度增進技術一般可分為偏軸發光、相移圖罩與表層成像三種。偏軸發光已屬微 影機台基本配備；表層成像製程複雜，業界接受度不高；相移圖罩則仍有廣大之研究空 間。 嵌附式減光型相移圖罩，可適用於248、193、157、126、13、0.8奈米，涵蓋深紫 外光、極短紫外光、X-光，可謂全部微影波長皆可適用；且尚有製備較易，適用於各式 圖形之優點，因此，其重要性無庸置疑。嵌附層正規透射率T%~6%，高透射率通常定義 T%~15-35。 本計畫主要探討193奈米微影高透射率嵌附層，其材料、光學、物性、化性、電漿 蝕刻等性質。以模擬探討應用於透射率控制圖罩成像性質，與相關光學鄰近效應之修 正，並實作透射率控制圖罩。 本計畫為製備90至45奈米線幅節點二維接觸孔之前瞻性研究，並兼顧學術性、應用 性與研究生培訓。