前瞻新結構電阻式記憶體元件之製作(2/2)

完整後設資料紀錄

DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	施敏	en_US
dc.contributor.author	SZE SIMON MIN	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:30:14Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:30:14Z	-
dc.date.issued	2013	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC102-2221-E009-007	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/90070	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=3163748&docId=426152	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	前瞻新結構電阻式記憶體元件之製作(2/2)	zh_TW
dc.title	Fabrication Technology of Novel Structure in Resistive-RAM (RRAM) Devices (II)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子工程學系及電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫