電阻式記憶元件操作特性與可靠性之統計測量及三度空間原子與電荷傳輸模擬

標題:	電阻式記憶元件操作特性與可靠性之統計測量及三度空間原子與電荷傳輸模擬 Statistical Characterization and 3D Atomistic Simulation Based on Electron Hopping and Thermo-chemical Dielectric Breakdown in RRAM
作者:	汪大暉 WANG TAHUI 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
公開日期:	2013
官方說明文件#:	NSC102-2221-E009-096-MY2
URI:	http://hdl.handle.net/11536/90530 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=3096850&docId=418031
顯示於類別：	研究計畫