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dc.contributor.author許根玉en_US
dc.contributor.authorHSU KEN-YUHen_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:31:00Z-
dc.date.available2014-12-13T10:31:00Z-
dc.date.issued2005en_US
dc.identifier.govdocNSC94-2215-E009-034zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/90621-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1143912&docId=219384en_US
dc.description.abstract本計劃旨在探索光折變體積全像的新穎記錄材料、體積全像光柵之設計 製作,以及其在光資訊處理之應用。 在體積光柵記錄材料方面,目標是研發適合於以雙波長方式記錄的非揮 發性(Non-volatile)體積全像記錄材料,使得全像記憶不會被讀取光洗除。我們 將以鉍系列(Sillenite)光折變晶體為探索的主要對象,包含鈦酸鉍(Bi12TiO20, 簡稱為BTO)、矽酸鉍(Bi12SiO20,簡稱為BSO)及鍺酸鉍(Bi4Ge3O12,簡稱 為BGO)等晶體。因為這系列晶體具有良好的電光特性,載子遷移率快、反 應速度快,而且其價帶能隙達3.2 電子伏特,容易藉由摻雜而在導電帶與價帶 之間產生一些雜質能階,來改變光折變性質,以塑造吾人所需的非揮發性體積 全像記錄性能。在摻雜元素方面,我們打算單摻、雙摻或多摻過渡及稀土元素, 包含Ru、V、Co、Fe、Mn、Rh、Pd、Os、Ir 等。 為了分析晶體之全像光學性質以及指導新晶體之設計與改良工作,我們 將以Kukhtarev 光折變模型為基礎,加上載子在多雜質能階之間的光激發與傳 輸動態行為,來推導光折變材料的雙波長全像記錄方程式,以理論模型及實驗 驗證,來求取晶體優化參數。 在體積全像的應用方面,將致力於推導體積全像光柵之脈衝函數,據以 建立全像光學連線、全像儲存及全像濾波的設計公式,並以實驗驗證之。同時 將以多頻道體積全像濾波光柵來研發拉曼光譜濾波器,探索生醫檢測之潛力。zh_TW
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject全像光學zh_TW
dc.subject體積全像光柵zh_TW
dc.subject光資訊儲存zh_TW
dc.subject光資訊處理zh_TW
dc.subject光折變光學zh_TW
dc.title光折變體積全像之研製及其應用研究(I)zh_TW
dc.titleInvestigations on Photorefractive Volume Hologram and Its Applications(I)en_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department交通大學光電工程研究所zh_TW
顯示於類別:研究計畫


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  1. 942215E009034.PDF

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