電阻式記憶體新穎材料之開發與機制研究(2/2)

标题:	电阻式记忆体新颖材料之开发与机制研究(2/2) Research on Novel Materials and Mechanisms of Resistive Random-Access Memory (II)
作者:	施敏 SZE SIMON MIN 国立交通大学电子工程学系及电子研究所
公开日期:	2013
官方说明文件#:	NSC102-2221-E009-004
URI:	http://hdl.handle.net/11536/90704 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=3163535&docId=426104
显示于类别：	Research Plans

APA	施., & SZE S. MIN (2013). 电阻式记忆体新颖材料之开发与机制研究(2/2). https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=3163535&docId=426104.
Bibtex	@article{2013, title={电阻式记忆体新颖材料之开发与机制研究(2/2)}, author={施敏 and SZE SIMON MIN}, journal={https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=3163535&docId=426104}, year={2013}, url={https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/90704?locale=zh_CN&mode=simplelocale%3Dzh_CNlocale%3Dzh_CN}, }