次100奈米SOI CMOS的RF/Analog特性分析與模式建立(I)

標題:	次100奈米SOI CMOS的RF/Analog特性分析與模式建立(I) RF/Analog Modeling and Characterization of Scaled SOI CMOS(I)
作者:	蘇彬 Su Pin 交通大學電子工程系
關鍵字:	RF/analog;SOI CMOS;SOC;元件設計;電路模擬;實驗分析與模式
公開日期:	2004
摘要:	在本計畫中我們將對次100 奈米SOI CMOS 的RF/analog 特性作深入研究與模式建立。利用我們早先完成的統整SOI 低頻元件模型為基礎，我們在本計畫中所將發展的RF SOI 元件模型將有益於RF 電路模擬以及SOI CMOS 在SOC 的應用。在本計畫中我們對於前瞻SOI 元件在高頻時的閘極電阻、基極電阻以及浮動基體等效應的實驗分析與探討，也將有助於使用數位SOI CMOS 技術的 RF/analog 元件設計的最佳化。
官方說明文件#:	NSC93-2215-E009-042
URI:	http://hdl.handle.net/11536/91167 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1026723&docId=195190
顯示於類別：	研究計畫

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