次100奈米SOI CMOS的RF/Analog特性分析與模式建立(I)

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	蘇彬	en_US
dc.contributor.author	Su Pin	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:31:50Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:31:50Z	-
dc.date.issued	2004	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC93-2215-E009-042	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/91167	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1026723&docId=195190	en_US
dc.description.abstract	在本計畫中我們將對次100 奈米SOI CMOS 的RF/analog 特性作深入研究與模式建立。利用我們早先完成的統整SOI 低頻元件模型為基礎，我們在本計畫中所將發展的RF SOI 元件模型將有益於RF 電路模擬以及SOI CMOS 在SOC 的應用。在本計畫中我們對於前瞻SOI 元件在高頻時的閘極電阻、基極電阻以及浮動基體等效應的實驗分析與探討，也將有助於使用數位SOI CMOS 技術的 RF/analog 元件設計的最佳化。	zh_TW
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	RF/analog	zh_TW
dc.subject	SOI CMOS	zh_TW
dc.subject	SOC	zh_TW
dc.subject	元件設計	zh_TW
dc.subject	電路模擬	zh_TW
dc.subject	實驗分析與模式	zh_TW
dc.title	次100奈米SOI CMOS的RF/Analog特性分析與模式建立(I)	zh_TW
dc.title	RF/Analog Modeling and Characterization of Scaled SOI CMOS(I)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學電子工程系	zh_TW
Appears in Collections:	Research Plans

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