次100奈米SOI CMOS的RF/Analog特性分析與模式建立(I)

Abstract

在本計畫中我們將對次100 奈米SOI CMOS 的RF/analog 特性作深入研究與 模式建立。利用我們早先完成的統整SOI 低頻元件模型為基礎，我們在本計畫 中所將發展的RF SOI 元件模型將有益於RF 電路模擬以及SOI CMOS 在SOC 的 應用。在本計畫中我們對於前瞻SOI 元件在高頻時的閘極電阻、基極電阻以及 浮動基體等效應的實驗分析與探討，也將有助於使用數位SOI CMOS 技術的 RF/analog 元件設計的最佳化。