統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| The effect of trimethylgallium flows in the AIInGaN barrier on optoelectronic characteristics of near ultraviolet light-emitting diodes grown by atmospheric pressure metalorganic vapor phase epitaxy | 118 |
本月總瀏覽
| 六月 2025 | 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| The effect of trimethylgallium flows in the AIInGaN barrier on optoelectronic characteristics of near ultraviolet light-emitting diodes grown by atmospheric pressure metalorganic vapor phase epitaxy | 0 | 0 | 0 | 0 | 3 | 0 | 0 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 000288808200015.pdf | 20 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 95 |
| 美國 | 16 |
| 愛爾蘭 | 2 |
| 巴西 | 1 |
| 加拿大 | 1 |
| 印尼 | 1 |
| 印度 | 1 |
| 台灣 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 95 |
| Kensington | 7 |
| Menlo Park | 7 |
| Edmond | 1 |
| Ottawa | 1 |
| San Jose | 1 |