完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 徐文祥 | en_US |
dc.contributor.author | HSU WENSYANG | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-13T10:32:04Z | - |
dc.date.available | 2014-12-13T10:32:04Z | - |
dc.date.issued | 2004 | en_US |
dc.identifier.govdoc | NSC93-2212-E009-019 | zh_TW |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/91351 | - |
dc.identifier.uri | https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=984851&docId=183801 | en_US |
dc.description.abstract | 在利用矽基微加工技術製作微結構的諸多問題中,以溫度的影響最為 深遠,不但影響整體製程的規劃,更嚴重地限制了微機電元件與積體電路 進行整合的機會。因此,為了提高微機電元件與現存矽基系統的整合能力, 大家逐漸重視具有低溫製程優點的金屬微加工技術,本研究計劃即是在開 發具整合優勢之金屬式微加工技術之特色製程,我們稱之為垂直空間式金 屬犧牲層(VSMSL, Vertical Space with Metal Sacrificial Layer)技術,並用以製 作靜電式垂直金屬梳狀致動器,此一製程技術可滿足需要固定式金屬微結 構與懸浮式金屬微結構垂直交錯排列之需求,並進一步以此深具優勢之出 平面致動器發展出各種應用元件。 在垂直空間式金屬犧牲層(VSMSL)製程開發方面,將在不同光阻及不 同厚度的設定之下,對各項製程參數做詳細的測試,建立此一製程技術的 參數庫,並用以開發靜電式垂直金屬梳狀致動器。與現有之垂直式梳狀致 動器相比,其皆是以矽基微加工技術製作,一類需利用晶片接合技術,而 在此所提出以VSMSL 技術所製作之垂直式金屬梳狀致動器則具有自我對 準(self-aligned)及精確控制間隙大小的優勢;若與現有以矽基深蝕刻體型加 工技術製作垂直式梳狀微致動器相比,不但不需要參雜(doping)之步驟,並 且梳狀結構上方仍可製作金屬平面,對有效利用元件面積,增加額外靜電 驅動力,維持製程穩定性,及進一步在梳狀結構上方整合其他元件有相當 大的幫助。 而此一垂直式梳狀致動器的建立則將進一步配合不同應用,發展各式 微機電元件,如高密度光開關、光反射鏡面、高Q 值可調式電容器。 | zh_TW |
dc.description.sponsorship | 行政院國家科學委員會 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 金屬 | zh_TW |
dc.subject | 垂直 | zh_TW |
dc.subject | 犧牲層 | zh_TW |
dc.subject | 梳狀致動器 | zh_TW |
dc.title | 金屬微結構之製程及其應用之研究 | zh_TW |
dc.title | Development of Metal Microstructure Fabrication Processes and Their Applications | en_US |
dc.type | Plan | en_US |
dc.contributor.department | 交通大學機械工程系 | zh_TW |
顯示於類別: | 研究計畫 |