半導體奈米結構之成長與光電特性研究(I)

Abstract

本計畫主要是利用分子束磊晶技術成長半導體奈米結構，以三年時間研究(一)磊晶 動力學(二)半導體奈米結構之光電特性及(三)開發自旋光電元件研究自旋動力學。 一、磊晶動力學: 在奈米結構之磊晶過程中將調整基板溫度、分子束流率、緩衝層厚度 與應變等磊晶參數及磊晶腔內熱回火溫度與時間，並且以選擇性磊晶技術與表面形貌 研究，嘗試對半導體奈米結構之磊晶機制做全盤瞭解，以完全掌控奈米結構之大小尺 寸、密度、形狀及有次序排列。 二、半導體奈米結構之光電特性: 以掃瞄式電子力顯微術及掃瞄式近場光學顯微術研究 單一半導體奈米結構之充電與記憶過程及其發光特性。 三、開發自旋光電元件研究自旋動力學: 利用分子束磊晶技術將磁性半導體或非磁性半 導體奈米結構製作成自旋幫浦、自旋閥、自旋電晶體等元件，並且以具時間解析之磁 光頻譜技術研究自旋載子在傳輸時的自旋蛻變。