利用金屬壓印技術製作低溫複晶矽薄膜電晶體及擇區奈米碳管(I)

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	吳耀銓	en_US
dc.contributor.author	YEWCHUNG SERMONWU	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:33:23Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:33:23Z	-
dc.date.issued	2003	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC92-2216-E009-024	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/92037	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=874271&docId=167553	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	利用金屬壓印技術製作低溫複晶矽薄膜電晶體及擇區奈米碳管(I)	zh_TW
dc.title	The Fabrication of Low Temperature Poly-Si TFT and Selective Area Carbon Nanotubes by Metal Imprint (I)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學材料科學與工程學系	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫

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APA	吳., & YEWCHUNG S. (2003). 利用金屬壓印技術製作低溫複晶矽薄膜電晶體及擇區奈米碳管(I). https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=874271&docId=167553.
Bibtex	@article{2003, title={利用金屬壓印技術製作低溫複晶矽薄膜電晶體及擇區奈米碳管(I)}, author={吳耀銓 and YEWCHUNG SERMONWU}, journal={https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=874271&docId=167553}, year={2003}, url={https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/92037?mode=full}, }