新型絕緣層上覆晶奈米元件(I)

完整後設資料紀錄

DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	崔秉鉞	en_US
dc.contributor.author	Bing-YueTsui	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:34:14Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:34:14Z	-
dc.date.issued	2002	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC91-2215-E009-048	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/92609	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=784418&docId=150774	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	新型絕緣層上覆晶奈米元件(I)	zh_TW
dc.title	A Novel SOI Nano Device (I)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學電子工程系	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫

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