新型絕緣層上覆晶奈米元件(I)

完整后设资料纪录

DC 栏位	值	语言
dc.contributor.author	崔秉钺	en_US
dc.contributor.author	Bing-YueTsui	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:34:14Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:34:14Z	-
dc.date.issued	2002	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC91-2215-E009-048	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/92609	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=784418&docId=150774	en_US
dc.description.sponsorship	行政院国家科学委员会	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	新型绝缘层上覆晶奈米元件(I)	zh_TW
dc.title	A Novel SOI Nano Device (I)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大学电子工程系	zh_TW
显示于类别：	研究计画

文件中的档案：

若为 zip 档案，请下载档案解压缩后，用浏览器开启资料夹中的 index.html 浏览全文。

APA	崔., & B. (2002). 新型绝缘层上覆晶奈米元件(I). https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=784418&docId=150774.
Bibtex	@article{2002, title={新型绝缘层上覆晶奈米元件(I)}, author={崔秉钺 and Bing-YueTsui}, journal={https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=784418&docId=150774}, year={2002}, url={https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/92609?mode=full}, }