標題: | 一種新穎絕緣層上矽動態起啟電壓金氧半元件 A Novel SOI-DTMOS Device |
作者: | 趙天生 TIEN-SHENGCHAO 交通大學電子物理系 |
公開日期: | 2002 |
官方說明文件#: | NSC91-2215-E009-052 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/93088 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=784431&docId=150778 |
顯示於類別: | 研究計畫 |
標題: | 一種新穎絕緣層上矽動態起啟電壓金氧半元件 A Novel SOI-DTMOS Device |
作者: | 趙天生 TIEN-SHENGCHAO 交通大學電子物理系 |
公開日期: | 2002 |
官方說明文件#: | NSC91-2215-E009-052 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/93088 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=784431&docId=150778 |
顯示於類別: | 研究計畫 |