標題: 一種新穎絕緣層上矽動態起啟電壓金氧半元件
A Novel SOI-DTMOS Device
作者: 趙天生
TIEN-SHENGCHAO
交通大學電子物理系
公開日期: 2002
官方說明文件#: NSC91-2215-E009-052
URI: http://hdl.handle.net/11536/93088
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=784431&docId=150778
顯示於類別:研究計畫


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