等價位氮化物元件結構製備與相關物理特性研究(II)

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	陳衛國	en_US
dc.contributor.author	WEI-KUOCHEN	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:35:04Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:35:04Z	-
dc.date.issued	2002	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC91-2112-M009-038	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/93198	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=748745&docId=142120	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	等價位氮化物元件結構製備與相關物理特性研究(II)	zh_TW
dc.title	Characterizations and Fabrications of Isoelectronic Doped Nitride Device Structures(II)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學電子物理系	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫

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