标题: 不同型掺杂材料浮动闸极快闪式记忆元件可靠性问题之研究
A Study on the Reliability Issues of Flash EEPROM with Different Floating Gate Materials
作者: 庄绍勋
Chung Steve S
国立交通大学电子工程学系
关键字: 快闪式记忆体;可靠度;浮动闸;资料持久力;氧化层伤害;Frash memory;Reliability;Floating gate;Data retention;Oxide damage
公开日期: 2000
官方说明文件#: NSC89-2218-E009-110
URI: http://hdl.handle.net/11536/93274
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=619835&docId=115468
显示于类别:Research Plans


文件中的档案:

  1. 892218E009110.pdf

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