新世代鐵電非揮發性記憶元件(I)

標題:	新世代鐵電非揮發性記憶元件(I) Next Generation Non-volatile Ferroelectric Memory(I)
作者:	曾俊元 TSEUNG-YUENTSENG 國立交通大學電子工程學系
關鍵字:	非揮發性記憶元件;鐵電記憶元件;新世代;Nonvolatile memory device;Ferroelectric memory device;Next generqation
公開日期:	2001
官方說明文件#:	NSC90-2215-E009-100
URI:	http://hdl.handle.net/11536/93453 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=676562&docId=129095
顯示於類別：	研究計畫