完整後設資料紀錄
DC 欄位語言
dc.contributor.author張俊彥en_US
dc.contributor.authorCHANG CHUN-YENen_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:35:29Z-
dc.date.available2014-12-13T10:35:29Z-
dc.date.issued2000en_US
dc.identifier.govdocNSC89-2218-E009-087zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/93463-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=597417&docId=112582en_US
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title超高真空化學氣相沉積低溫新穎複晶矽薄膜電晶體之製作與可靠度的研究---總計畫 (III)zh_TW
dc.titleStudy of UHVCVD Deposited Poly-Si TFTs with Low Temperature Gate Dielectric and Novel Structure(III)en_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department國立交通大學電子工程學系zh_TW
顯示於類別:研究計畫


文件中的檔案:

  1. 892218E009087.pdf

若為 zip 檔案,請下載檔案解壓縮後,用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。