等價位氮化物元件結構製備與相關物理特性研究(I)

標題:	等價位氮化物元件結構製備與相關物理特性研究(I) Characterizations and Fabrications of Isoelectronic Doped Nitride Device Structures(I)
作者:	陳衛國 WEI-KUOCHEN 國立交通大學電子物理學系
關鍵字:	等價位氮化物;特性;元件;Isoelectronic nitride;Characterization;Device
公開日期:	2001
官方說明文件#:	NSC90-2112-M009-044
URI:	http://hdl.handle.net/11536/93578 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=639691&docId=119715
Appears in Collections:	Research Plans

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