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dc.contributor.author荊鳳德en_US
dc.contributor.authorCHIN ALBERTen_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:35:52Z-
dc.date.available2014-12-13T10:35:52Z-
dc.date.issued2001en_US
dc.identifier.govdocNSC90-2215-E009-098zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/93632-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=665798&docId=126397en_US
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject記憶體元件zh_TW
dc.subject積體電路設計zh_TW
dc.subjectMemory deviceen_US
dc.subjectIntegrated circuit designen_US
dc.title單一電晶體記憶元件zh_TW
dc.title1T Memory Device Technologyen_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department交通大學電子工程系zh_TW
顯示於類別:研究計畫


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