标题: 超高真空化学气相沈积低温新颖复晶矽薄膜电晶体之制作与可靠度的研究---子计画III:超高真空化学气相沈积新颖复晶矽薄膜电晶体之低温闸极介电层与新结构之研究
Study of UHVCVD Deposited Poly-Si TFTs with Low Temperature Gate Dielectric and Novel Structure
作者: 张俊彦
CHANG CHUN-YEN
交通大学电子工程系
关键字: 超高真空化学气相沈积法;复晶矽;薄膜电晶体;可靠度;低温;钝化;退火;液晶显示器;UHVCVD;Polysilicon;Thin film transistor (TFT);Reliability;Low temperature;Passivation;Annealing;LCD
公开日期: 1999
官方说明文件#: NSC88-2215-E009-048
URI: http://hdl.handle.net/11536/94061
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=428968&docId=76775
显示于类别:Research Plans