标题: | 超高真空化学气相沈积低温新颖复晶矽薄膜电晶体之制作与可靠度的研究---子计画III:超高真空化学气相沈积新颖复晶矽薄膜电晶体之低温闸极介电层与新结构之研究 Study of UHVCVD Deposited Poly-Si TFTs with Low Temperature Gate Dielectric and Novel Structure |
作者: | 张俊彦 CHANG CHUN-YEN 交通大学电子工程系 |
关键字: | 超高真空化学气相沈积法;复晶矽;薄膜电晶体;可靠度;低温;钝化;退火;液晶显示器;UHVCVD;Polysilicon;Thin film transistor (TFT);Reliability;Low temperature;Passivation;Annealing;LCD |
公开日期: | 1999 |
官方说明文件#: | NSC88-2215-E009-048 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/94061 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=428968&docId=76775 |
显示于类别: | Research Plans |