标题: 8寸晶圆半导体LPCVD制程设备之研发---子计划IV:利用LPCVD法成长Ta/sub 2/O/sub 5/薄膜与特性分析(III)
Growth and Characterization of LPCVD Ta/sub 2/O/sub 5/ Thin Films (III)
作者: 曾俊元
TSEUNG-YUENTSENG
交通大学电子工程系
关键字: 氧化钽;低压化学气相沈积法;薄膜生长;晶圆;Tantalum oxide;Low pressure chemical vaporization deposition (LPCVD);Thin film growth;Wafer
公开日期: 1999
官方说明文件#: NSC88-2218-E009-004
URI: http://hdl.handle.net/11536/94323
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=418203&docId=74189
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