标题: | 8寸晶圆半导体LPCVD制程设备之研发---子计划IV:利用LPCVD法成长Ta/sub 2/O/sub 5/薄膜与特性分析(III) Growth and Characterization of LPCVD Ta/sub 2/O/sub 5/ Thin Films (III) |
作者: | 曾俊元 TSEUNG-YUENTSENG 交通大学电子工程系 |
关键字: | 氧化钽;低压化学气相沈积法;薄膜生长;晶圆;Tantalum oxide;Low pressure chemical vaporization deposition (LPCVD);Thin film growth;Wafer |
公开日期: | 1999 |
官方说明文件#: | NSC88-2218-E009-004 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/94323 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=418203&docId=74189 |
显示于类别: | Research Plans |