標題: 製作低溫(450℃)鋁閘極複晶矽薄膜電晶體之相關技術開發---鋁閘極複晶矽薄膜電晶體關鍵技術---Poly-Oxide及Al/sub 2/O/sub 3/之研究與應用(I)
Study and Application of Poly-Oxide and Al/sub 2/O/sub 3/---Key Technology of Aluminum-Gate Polysilicon Thin-Film Transistors (I)
作者: 葉清發
交通大學電子工程系
關鍵字: 複晶矽薄膜電晶體;陽極氧化;鋁閘極;複晶矽氧化膜;氧化鋁;Polysilicon TFT;Anodic oxidation;Al gate;Polysilicon oxide;Al2O3
公開日期: 1999
官方說明文件#: NSC88-2215-E009-056
URI: http://hdl.handle.net/11536/94366
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=444150&docId=80429
顯示於類別:研究計畫


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