統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| 製作低溫450℃複晶矽薄膜電晶體之關鍵技術---主動層(Active Layer)及源/汲接面(Junction)之研製 | 106 |
本月總瀏覽
檔案下載
| 檢視 |
|---|
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 93 |
| 美國 | 11 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 88 |
| Menlo Park | 6 |
| Beijing | 5 |
| Kensington | 3 |
| Edmond | 1 |
| Kirksville | 1 |
| 檢視 | |
|---|---|
| 製作低溫450℃複晶矽薄膜電晶體之關鍵技術---主動層(Active Layer)及源/汲接面(Junction)之研製 | 106 |
| 檢視 |
|---|
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 93 |
| 美國 | 11 |
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 88 |
| Menlo Park | 6 |
| Beijing | 5 |
| Kensington | 3 |
| Edmond | 1 |
| Kirksville | 1 |