三五族氮化物半導體薄膜之物理特性研究---子計畫II：GaN類半導體材料及物理結構之薄膜製備與特性研究(III)

標題:	三五族氮化物半導體薄膜之物理特性研究---子計畫II：GaN類半導體材料及物理結構之薄膜製備與特性研究(III) Characterization, Growth of GaN Related Compounds and Their Heterostructures (III)
作者:	陳衛國 WEI-KUOCHEN 交通大學電子物理系
關鍵字:	氮化鎵;薄膜製作;量子井;量子點;同價位元素摻雜;Gallium nitride;Thin film production;Quantum well;Quantum dot;Isoelectronic doping
公開日期:	1999
官方說明文件#:	NSC88-2112-M009-022
URI:	http://hdl.handle.net/11536/94412 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=426162&docId=76095
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