II-VI族稀磁性半導體之研究與凝體物理理論探討

标题:	II-VI族稀磁性半导体之研究与凝体物理理论探讨 Investigation of Diluted Magnetic II-VI Semiconductors and Theoretical Studies of Condensed Matter Physics
作者:	褚德三 CHUU DER SAN 交通大学电子物理系
关键字:	稀磁性半导体薄膜;凝体物理;高压相变;Diluted magnetic semiconductor thin film;Condensed matter physics;High pressure induced phase transition
公开日期:	1999
官方说明文件#:	NSC88-2112-M009-004
URI:	http://hdl.handle.net/11536/94414 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=426140&docId=76090
显示于类别：	Research Plans

APA	褚., & CHUU D. SAN (1999). II-VI族稀磁性半导体之研究与凝体物理理论探讨. https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=426140&docId=76090.
Bibtex	@article{1999, title={II-VI族稀磁性半导体之研究与凝体物理理论探讨}, author={褚德三 and CHUU DER SAN}, journal={https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=426140&docId=76090}, year={1999}, url={https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/94414?locale=zh_CN}, }