次〝兆分之一秒〞響應之研究

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	荊鳳德	en_US
dc.contributor.author	CHIN ALBERT	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:37:09Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:37:09Z	-
dc.date.issued	1999	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC88-2215-E009-037	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/94435	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=444579&docId=80527	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	兆分之一秒	zh_TW
dc.subject	響應	zh_TW
dc.subject	半導體	zh_TW
dc.subject	砷化鎵	zh_TW
dc.subject	低溫成長	zh_TW
dc.subject	Pico second	en_US
dc.subject	Response	en_US
dc.subject	Semiconductor	en_US
dc.subject	GaAs	en_US
dc.subject	Low-temperature growth	en_US
dc.title	次〝兆分之一秒〞響應之研究	zh_TW
dc.title	Sub-pS Study	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學電子工程系	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫

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