製作低溫(450℃)鋁閘極複晶矽薄膜電晶體之相關技術發展---低溫薄膜電晶體之相關薄絕緣層之製備研究(I)

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	李崇仁	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:37:18Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:37:18Z	-
dc.date.issued	1999	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC88-2215-E009-054	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/94527	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=444146&docId=80428	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	複晶矽	zh_TW
dc.subject	薄絕緣層	zh_TW
dc.subject	化學氣相沈積法	zh_TW
dc.subject	電漿加強化學氣相沈積法	zh_TW
dc.subject	快速熱處理	zh_TW
dc.subject	Polysilicon	en_US
dc.subject	Thin dielectric	en_US
dc.subject	Chemical vapor deposition	en_US
dc.subject	Plasma-enhance CVD	en_US
dc.subject	Rapid thermal process (RTP)	en_US
dc.title	製作低溫(450℃)鋁閘極複晶矽薄膜電晶體之相關技術發展---低溫薄膜電晶體之相關薄絕緣層之製備研究(I)	zh_TW
dc.title	The Study on Thin Dielectrics Preparation Technology for Low Temperature TFTs (I)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學電子工程系	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫

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