三五族氮化合物半導體薄膜之物理特性研究---子計畫III：三五族氮化合物半導體物理特性以及電性量測分析與研究

標題:	三五族氮化合物半導體薄膜之物理特性研究---子計畫III：三五族氮化合物半導體物理特性以及電性量測分析與研究 Study of Physics and Electrical Properties of III-V Nitride Semiconductors
作者:	陳振芳 CHEN JENN-FANG 交通大學電子物理系
關鍵字:	氮化合物;金屬有機化學蒸鍍法;深層能階;異質接面;Nitride;Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD);Deep level;Heterojunction
公開日期:	1999
官方說明文件#:	NSC88-2112-M009-023
URI:	http://hdl.handle.net/11536/94559 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=426255&docId=76117
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