氮化鎵族光電材料與元件之研發---子計畫II：氮化鎵族光電元件製程之開發(I)

完整後設資料紀錄

DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	王興宗	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:37:32Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:37:32Z	-
dc.date.issued	1999	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC88-2215-E009-022	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/94715	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=461758&docId=84663	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	氮化鎵	zh_TW
dc.subject	光電元件	zh_TW
dc.subject	製造程序	zh_TW
dc.subject	GaN	en_US
dc.subject	Optoelectronic device	en_US
dc.subject	Fabrication process	en_US
dc.title	氮化鎵族光電材料與元件之研發---子計畫II：氮化鎵族光電元件製程之開發(I)	zh_TW
dc.title	Development of Fabrication Process for Nitride-Based Optoelectronic Devices (I)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學光電工程研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫

文件中的檔案：

若為 zip 檔案，請下載檔案解壓縮後，用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。