標題: GaN光電及微波元件之研製---子計畫III:氮化鎵場效電晶體之研製 (I)
The Study of GaN-Based Field Effect Transistor (I)
作者: 張守進
CHANG SHOOU-JINN
交通大學光電工程研究所
關鍵字: 氮化鎵;場效電晶體;光電元件;微波元件;GaN;Field effect transistor;Optoelectronic device;Microwave device
公開日期: 2000
官方說明文件#: NSC89-2215-E009-018
URI: http://hdl.handle.net/11536/101337
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=542521&docId=99694
顯示於類別:研究計畫