標題: 三五族氮化合物半導體薄膜之物理特性研究---子計畫一:三五氮化合物半導體薄膜之物理特性研究(II)
Physical Property Studies of III-V Semiconducting Nitride Films(II)
作者: 李明知
LEE MING-CHIH
交通大學電子物理系
關鍵字: 氮化物;有機金屬化學氣相磊晶;光譜分析;電性傳輸現象;Nitride;MOCVD;Spectral analysis;Electrical transport
公開日期: 1998
官方說明文件#: NSC87-2112-M009-020
URI: http://hdl.handle.net/11536/94768
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=370470&docId=66564
顯示於類別:研究計畫


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