標題: 以HVPE成長之氮化鎵單晶基板的攙雜研究
Research on the Dopant in GaN Substrate Grown by HVPE
作者: 施敏
SZE SIMON MIN
交通大學電子工程系
關鍵字: 氮化鎵;氫化物磊晶成長;摻雜;藍光發光二極體;基板;GaN;HVPE;Dopant;Blue LED;Substrate
公開日期: 1998
官方說明文件#: NSC87-2215-E009-068
URI: http://hdl.handle.net/11536/94914
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=409119&docId=72438
顯示於類別:研究計畫


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