應用於高密度資料儲存記憶體與電子突觸之BiCS 三維電阻式記憶體開發

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	侯拓宏	en_US
dc.contributor.author	Hou Tuo-Hung	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:38:19Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:38:19Z	-
dc.date.issued	2013	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC102-2221-E009-188-MY3	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/95238	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=3089735&docId=415997	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	應用於高密度資料儲存記憶體與電子突觸之BiCS 三維電阻式記憶體開發	zh_TW
dc.title	BiCS 3D RRAM Technology for High-Density Data-Storage Memory and Electronic Synapses Applications	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子工程學系及電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫