應用於高密度資料儲存記憶體與電子突觸之BiCS 三維電阻式記憶體開發

標題:	應用於高密度資料儲存記憶體與電子突觸之BiCS 三維電阻式記憶體開發 BiCS 3D Rram Technology for High-Density Data-Storage Memory and Electronic Synapses Applications
作者:	侯拓宏 Hou Tuo-Hung 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
公開日期:	2014
官方說明文件#:	NSC102-2221-E009-188-MY3
URI:	http://hdl.handle.net/11536/98772 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=8122256&docId=432831
顯示於類別：	研究計畫