標題: 應用於高密度資料儲存記憶體與電子突觸之BiCS 三維電阻式記憶體開發
BiCS 3D Rram Technology for High-Density Data-Storage Memory and Electronic Synapses Applications
作者: 侯拓宏
Hou Tuo-Hung
國立交通大學電子工程學系及電子研究所
公開日期: 2014
官方說明文件#: NSC102-2221-E009-188-MY3
URI: http://hdl.handle.net/11536/98772
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=8122256&docId=432831
Appears in Collections:Research Plans