砷化銦鎵與砷化鎵量子點應變鬆弛的特性研究

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	陳振芳	en_US
dc.contributor.author	CHEN JENN-FANG	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:38:35Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:38:35Z	-
dc.date.issued	2001	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC90-2112-M009-043	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/95521	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=639687&docId=119714	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	應變鬆弛	zh_TW
dc.subject	砷化銦鎵	zh_TW
dc.subject	砷化鎵	zh_TW
dc.subject	自組量子點	zh_TW
dc.subject	On-set relaxation	en_US
dc.subject	InGaAs	en_US
dc.subject	GaAs	en_US
dc.subject	Self-assembled quantum dot	en_US
dc.title	砷化銦鎵與砷化鎵量子點應變鬆弛的特性研究	zh_TW
dc.title	Studies of On-Set Relaxation in In(Ga)As/GaAs Self-Assembled Quantum Dots	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子物理學系	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫

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