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dc.contributor.author張俊彥en_US
dc.contributor.authorCHANG CHUN-YENen_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:38:40Z-
dc.date.available2014-12-13T10:38:40Z-
dc.date.issued1997en_US
dc.identifier.govdocNSC86-2215-E009-019zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/95594-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=278889&docId=50218en_US
dc.description.abstract本整合計畫將以三年的時間,研究探討Si及SiGe磊晶層之成長機制,摻雜特性。SiGe之材料及物理特性,包括成長Si/ SiGe量子井(QuantumnWell)及超晶格(Super-lattice)等結構材料,並藉由SIMS、X-Ray Diffraction、 RBS、TEM 、SEM、 AFM及FTIR等儀器分析材料及物理特性.以此為基礎,我們將研製短通道 Si及SiGeMOSFET元件和異質接面雙極性電晶體HBT。最後,我仍將分析SiGe MOSFET和SiGeHBT的直流高頻特性,並與SiMOSFET和BJT作比較,以驗證矽鍺材料的物理特性及其在半導體元件物理應用的潛力。經由此計畫的進行,我們將能夠對於Si/SiGe磊晶層,從成長、材料特性、物理特性、量測技術、元件製作、到電路的應用,有一完整的研究。對於未來 Si/SiGe材料的發展有很重大的意義。zh_TW
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subjectzh_TW
dc.subject矽鍺zh_TW
dc.subject量子井zh_TW
dc.subject超晶格zh_TW
dc.subject混成微波積體電路zh_TW
dc.subjectSien_US
dc.subjectSiGeen_US
dc.subjectQuantum wellen_US
dc.subjectSuper latticeen_US
dc.subjectHybrid microwave ICen_US
dc.title矽與矽鍺材料及元件之發展---總計畫zh_TW
dc.titleThe Development of Si/SiGe Material and Devicesen_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department交通大學電子工程研究所zh_TW
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