矽與矽鍺材料及元件之發展---總計畫

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	張俊彥	en_US
dc.contributor.author	CHANG CHUN-YEN	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:38:40Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:38:40Z	-
dc.date.issued	1997	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC86-2215-E009-019	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/95594	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=278889&docId=50218	en_US
dc.description.abstract	本整合計畫將以三年的時間，研究探討Si及SiGe磊晶層之成長機制，摻雜特性。SiGe之材料及物理特性，包括成長Si/ SiGe量子井(QuantumnWell)及超晶格(Super-lattice)等結構材料，並藉由SIMS、X-Ray Diffraction、 RBS、TEM 、SEM、 AFM及FTIR等儀器分析材料及物理特性.以此為基礎，我們將研製短通道 Si及SiGeMOSFET元件和異質接面雙極性電晶體HBT。最後，我仍將分析SiGe MOSFET和SiGeHBT的直流高頻特性，並與SiMOSFET和BJT作比較，以驗證矽鍺材料的物理特性及其在半導體元件物理應用的潛力。經由此計畫的進行，我們將能夠對於Si/SiGe磊晶層，從成長、材料特性、物理特性、量測技術、元件製作、到電路的應用，有一完整的研究。對於未來 Si/SiGe材料的發展有很重大的意義。	zh_TW
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	矽	zh_TW
dc.subject	矽鍺	zh_TW
dc.subject	量子井	zh_TW
dc.subject	超晶格	zh_TW
dc.subject	混成微波積體電路	zh_TW
dc.subject	Si	en_US
dc.subject	SiGe	en_US
dc.subject	Quantum well	en_US
dc.subject	Super lattice	en_US
dc.subject	Hybrid microwave IC	en_US
dc.title	矽與矽鍺材料及元件之發展---總計畫	zh_TW
dc.title	The Development of Si/SiGe Material and Devices	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學電子工程研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫