矽與矽鍺材料及元件之發展---總計畫

Abstract

本整合計畫將以三年的時間，研究探討Si及SiGe磊晶層之成長機制，摻雜特性。SiGe之材料及物理特性，包括成長Si/ SiGe量子井(QuantumnWell)及超晶格(Super-lattice)等結構材料，並藉由SIMS、X-Ray Diffraction、 RBS、TEM 、SEM、 AFM及FTIR等儀器分析材料及物理特性.以此為基礎，我們將研製短通道 Si及SiGeMOSFET元件和異質接面雙極性電晶體HBT。最後，我仍將分析SiGe MOSFET和SiGeHBT的直流高頻特性，並與SiMOSFET和BJT作比較，以驗證矽鍺材料的物理特性及其在半導體元件物理應用的潛力。經由此計畫的進行，我們將能夠對於Si/SiGe磊晶層，從成長、材料特性、物理特性、量測技術、元件製作、到電路的應用，有一完整的研究。對於未來 Si/SiGe材料的發展有很重大的意義。