超薄氧化層高等可靠性物理暨次世代快閃式記憶體之前瞻性研究

標題:	超薄氧化層高等可靠性物理暨次世代快閃式記憶體之前瞻性研究 Pioneering Study on Ultrathin Oxide Advanced Reliability Physics and Next-Generation Flash Memory
作者:	陳明哲 CHEN MING-JER 國立交通大學電子工程研究所
關鍵字:	超薄氧化層;可靠性物理;快閃記憶體;Ultrathin oxide;Reliability physics;Flash memory
公開日期:	2001
官方說明文件#:	NSC90-2218-E009-043
URI:	http://hdl.handle.net/11536/95765 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=682105&docId=130199
顯示於類別：	研究計畫

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