| 標題: | 具有梯狀導波管之虛陰極振盪器線路理論分析研究 Deep Level Transient Spectroscopy Signature Analysis of Te-Doped Center in GaAsP and InGaP |
| 作者: | 李威儀 LEE WEI-I 國立交通大學電子物理學系 |
| 關鍵字: | 深能暫態系統;深植能缺陷;GaAsP;GaInP;Deep level transient spectorscopy;Detect;GaAsP;GaInP;DLTS |
| 公開日期: | 1996 |
| 官方說明文件#: | NSC85-2112-M009-016 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/95982 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=236171&docId=43509 |
| 顯示於類別： | 研究計畫 |
- SnTe摻雜GaSb與低溫成長InGaAs/GaAs超晶格之電性研究與缺陷分析 / 劉鴻興;Liu, Hung-Sing;陳振芳;Jenn-Fang Chen
- Analysis of strain relaxation in GaAs/InGaAs/GaAs structures by spectroscopy of relaxation-induced states / Chen, J. F.;Chiang, C. H.;Hsieh, P. C.;Wang, J. S.
- 碲摻雜磷化銦鋁鎵材料的缺陷研究 / 林谷祐;Ku-Yu Lin;李威儀;Wei-I Lee
- 磷化鋁鎵銦材料成長、製程與缺陷分析 / 宋維哲;Wei-Jer Sung;曾俊元;黃凱風;Tseung-Yuen Tseng
- Phosphorus vacancy as a deep level in AlInP layers / Sung, WJ;Wu, YR;Lee, SC;Wen, TC;Li, TJ
- Deep level transient spectroscopy characterization of InAs self-assembled quantum dots / Ilchenko, VV;Lin, SD;Lee, CP;Tretyak, OV
- MBE成長低溫InGaAs/GaAs超晶格p-i-n結構之電性與缺陷量測分析 / 翁宏鎮;Wong, Honng-Zheng;陳振芳;Jenn-Fang Chen
Loading...