具有梯狀導波管之虛陰極振盪器線路理論分析研究

標題:	具有梯狀導波管之虛陰極振盪器線路理論分析研究 Deep Level Transient Spectroscopy Signature Analysis of Te-Doped Center in GaAsP and InGaP
作者:	李威儀 LEE WEI-I 國立交通大學電子物理學系
關鍵字:	深能暫態系統;深植能缺陷;GaAsP;GaInP;Deep level transient spectorscopy;Detect;GaAsP;GaInP;DLTS
公開日期:	1996
官方說明文件#:	NSC85-2112-M009-016
URI:	http://hdl.handle.net/11536/95982 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=236171&docId=43509
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