標題: 具有梯狀導波管之虛陰極振盪器線路理論分析研究
Deep Level Transient Spectroscopy Signature Analysis of Te-Doped Center in GaAsP and InGaP
作者: 李威儀
LEE WEI-I
國立交通大學電子物理學系
關鍵字: 深能暫態系統;深植能缺陷;GaAsP;GaInP;Deep level transient spectorscopy;Detect;GaAsP;GaInP;DLTS
公開日期: 1996
官方說明文件#: NSC85-2112-M009-016
URI: http://hdl.handle.net/11536/95982
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=236171&docId=43509
顯示於類別:研究計畫